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讲座通知:“携手电气精英,与未来同行”系列讲座第313期

暨IEEE PELS武汉分会邀请报告

发表时间:2018-10-18 作者:许文立 浏览次数:

 

讲座通知:携手电气精英,与未来同行系列讲座第313

IEEE PELS武汉分会邀请报告

主讲人:Fred C. Lee

Virginia Tech弗吉尼亚理工大学

主讲人简介

            18AFLee博士是弗吉尼亚理工大学杰出教授,CPESCenter for Power Electronics Systems;电力电子系统中心)的创始人和荣誉主任。CPES的前身为VPECVirginia Power Electronics Center)——弗吉尼亚理工大学卓越的电力电子学术研究中心。Lee博士是美国国家工程院院士和中国工程院外籍院士。在弗吉尼亚理工大学任职40年期间,Lee博士领导了囊括科学研究、技术开发、教育推广、行业协作和技术转让的电力电子项目。迄今为止,全球已有230多家公司从这一行业合作项目中受益。

Lee博士总计培养了87名博士生和93名硕士生。他拥有89项美国专利,发表期刊论文310余篇,学术会议论文740余篇。他的研究领域包括高频功率变换、磁学与电磁干扰、分布式电力系统、可再生能源、电能质量、高密度电子封装与集成、建模与控制。

Lee博士是2015IEEE电力工程奖章(Medal in Power Engineering)的获得者,也是美国国家发明家学院(NAI)会士。

讲座简介:

In today’s power electronics products, quality and reliability are a given. Great emphases are placed on high efficiency, high power density, and low cost. The current practice has reached a level of maturity, and further advances will be closely linked to improvements in power devices, materials, and fabrication techniques.

There have been recent advances in wide bandgap (WBG) power semiconductor devices, namely silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), while operating at a frequency an order of magnitude higher than the current practice. Design trade-offs, previously considered impractical or inconceivable, can be realized, not only with significant gains in efficiency and power density, but also with drastic improvements of electromagnetic interference/compatibility (EMI/EMC) and manufacturability. Several examples will be given to illustrate the potential impact of WBG devices in improving performance and simplifying manufacturing of future power electronics products.

            

             讲座时间:1026日(周五)下午14:30-17:00

     讲座名称:The Next Generation of Switch-Mode Power Supplies

            讲座地点华中科技大学一号楼学术报告厅

 

关注科技前沿,展望行业前景,欢迎大家踊跃参加!

 

电气学院学术交流中心

20181018